ReRAM!NANDフラッシュの1万倍の書き込み速度。すばらしい! | 次世代メモリー共同開発 エルピーダとシャープ - 日経

日経10.10.13朝
・・・2013年をめどに実用化・・・エルピーダとシャープが開発するのは抵抗変化式メモリー(ReRAM)。理論上はNAND型フラッシュの1万倍の速さで情報を書き込める・・・書き込み時の消費電力も減らせる・・・

しかし、NANDフラッシュの1万倍の書き込み速度とは!すばらしい。

速度が上がるだけでなく、消費電力が少なくなることは、あらゆるモバイルデバイスでも大きなメリットとなる。

さらに、単純な構造なため高密度化が可能らしい。つまり、面積あたりの容量の増加も見込めるということだろう。

ReRAM - Wikipedia

これがあと2年後には実現するわけだ。

1年前のことを考えると、なんだか大昔のような気がする。1年前、今の状況を予想できていたとは、とても言えない。

いや、きっと未来を予測することは不可能なのだ。より確実なのは、自分がいついつまでにこれをやる!と決めたことだ。

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